收藏本站
PolarHV TM
Power MOSFET
ISOPLUS220 TM
(Electrically Isolated Tab)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTC 26N50P
V DSS = 500 V
I D25 = 15 A
R DS(on) ≤ 260 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
ISOPLUS220 TM (IXTC)
E153432
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
15
78
A
A
G
D
S
Isolated Tab
I AR
T C = 25 ° C
26
A
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
40
1.0
10
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
P D
T J
T JM
T stg
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
130
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
Features
l
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
l
Low drain to tab capacitance(<30pF)
V ISOL
50/60 Hz, RMS, t = 1, leads-to-tab
2500
V~
Applications
F C
Weight
Mounting Force
11..65/2.5..15
2
N/lb
g
l
l
l
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
l
DC choppers
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
l
AC motor control
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
500
3.0
5.5
V
V
l
l
l
Easy assembly
Space savings
High power density
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
250
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 13A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
260
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99227E(10/05 )
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTC280N055T MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220
IXTC75N10 MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
IXTF1N400 MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
IXTF200N10T MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
IXTF230N085T MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4
IXTF250N075T MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4
IXTF280N055T MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4
IXTH102N15T MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
相关代理商/技术参数
IXTC280N055T 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC36P15P 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC62N15P 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC72N30T 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC75N10 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTD5N100A 功能描述:MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTE250N10 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTF02N450 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAK